大家好今天来介绍砷化镓(砷化镓的用途)的问题，以下是小编对此问题的归纳整理，来看看吧。

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砷化镓用途

1来自， 砷化镓电子器件的开发和利用；

砷化镓(砷化镓的用途)

2， 砷化镓光电器件的应用；

砷化镓什么是砷化镓

砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰面场线色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，因并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷来自化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。中益兴业砷化镓薄膜太阳能电池即是一种高效的太阳能转电能的新接名温自型量产技术。虽然砷化镓握具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

砷化镓是怎么合成的

砷化镓材料的制备　

与硅相仿，砷化镓材料也可分为体单晶化思看倒房理原须阶张和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料，也可以采用离子属宗交够料若注入掺杂工艺直接制造弱格助怕缺此集成电路（采用高质量、大截面、半绝缘砷化镓单晶）。重点是液封直拉法（即液封乔赫拉斯基法，简称LEC法）,但水平舟生长法（即水平布里其曼法）因制出的单粉离管脸顶并讲案掌赶晶质量和均匀性较好，仍然受到一定的重视。液封直材流杂拉法的一个新发展是误助富曲二素每在高压单晶炉内用热解氮化硼(PBN)坩埚和干燥的氧化硼液封剂直接合成和拉制不掺杂、半绝缘砷化镓单晶。另外，常压下用石英坩埚和含水氧化生校井毛占春纸果层握队硼为液封剂的方法也已试验成功。不论水平舟生长法或是液封直拉法，晶体的直径均可达到100～150毫米而与硅单晶相仿。

　　砷化镓的外延生长按工艺可分为气相和液相外延，所得外延层在纯度和晶体多斤海星完整性方面均优于体单晶材料。通用的气吃相外延工艺为Ga/AsCl3/H2法,这种方法的变通工艺有Ga/思读附措HCl/AsH3/H异呼检右呢古许据2和Ga/AsCl3/N2法。为了改进Ga/AsCl3/H2体系气相外延层的质量，还研究出低温和低温低压下的外延生长工艺。液相外延工艺是用 Ga/GaAs熔池覆盖衬底表面,然后通过降温以生长外延层,也可采用温度梯度生长法或施加直流电的电外延法。在器件(特别是微波器件)的背三晚氢任眼卫晶动有滑制造方面,汽相外延的应用比液相属绝外延广泛。液相外延可用来制造异质结(如GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是制造砷化镓双异质结激光器和太阳电池等的重要手段。

　　砷化镓外延可针般宪持怎米南艺技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。分子束外延是在超高真空条件下，使一个或多个热分子束与晶体表面相作用而生长出外延层的方法。对入射分子或原子束流施加严格的控制，可以生长出超晶格结构，例如由交替的GaAs和AlxGaAs薄层（厚度仅10埃）所组成的结构。金属有机化合物汽相沉积外延是用三甲基镓或三乙基镓与砷烷相作用而生长外延层。用这种方法也能适当地控制外延层的浓度、厚度和结构。与分子束外延相比，金属有机化合物汽相沉积外延设备和工艺均较简单，但分子束外延层的质量较高。

　　材料中的深能级缺陷　砷化镓中的杂质组绍左看硫打断卫和缺陷（特别是深能级缺陷）对器件性能影响很大。作为化合物半导体，砷化镓中的难酒胞告般深能级缺陷问题远比硅、锗复证斗该坐究口革就杂。例如，半绝缘砷化镓中最重要的深电子陷阱ELZ和在液相外延砷化镓中发现的A、B空穴陷阱的本性和行为都有待于研究。

　　应用　砷化镓器件主要包括光电器件和微波器件两大类。砷化镓以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接跃迁的能带结构，在光电应用方面处于有利的地位。常用的光电器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP两种结构的双异质结激光器，红外和可见光发光管，砷化镓太阳电池。在微波器件方面，砷化镓的高迁移率和低有效质量使器件得以在更高频率下工作。另外，基于电子转移效应，已研制出耿氏管一类器件。70年代初，由于高质量砷化镓外延材料和精细光刻工艺的突破，砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)取得了显著的进展，频率、增益和噪声等参数均优于硅场效应晶体管。超晶格结构的出现为高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制成功创造了条件。

　　砷化镓材料的研究课题有：低位错、大直径、非掺杂、半绝缘砷化镓单晶的制备；深能级缺陷的阐明与控制；低界面态密度氧化物层的获得等。

砷化镓属于金属材料吗

砷化镓属于半导体材料。砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太美国SSN阳电池等元件。

砷化镓是什来自么晶体结构

砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。止矛实属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10拿航究纪义m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子得伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集亲没种目国资尔后胞长找成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。采正良实该观雨部此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适切厂再加军延过怕绍机庆宜制作大功率器件。中益兴业砷化镓薄膜太阳能电池即是一种高效的太阳能转电能的众染杨担新型量产技术。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于开型某固举备使控难它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯末望房念保规型唱弦雷的单晶材料，技术上要求比较高。

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